Samsung revoluciona la memoria de los móviles con tecnología más eficiente

El gigante tecnológico coreano Samsung ha desarrollado una tecnología que podría cambiar la forma en que almacenamos datos en nuestros dispositivos móviles. La empresa ha anunciado una nueva memoria que incrementa la capacidad de almacenamiento sin requerir más potencia, lo que podría revolucionar la industria de los móviles.

Según un estudio publicado en la revista Nature, los investigadores de Samsung crearon una memoria que permite aumentar la capacidad de almacenamiento sin impactar el consumo energético. La nueva tecnología está basada en transistores ferroeléctricos (FeFETs) que pueden operar con un voltaje de paso casi nulo.

Esto significa que las nuevas memorias reducirían el consumo energético hasta en un 96% frente a la NAND convencional. La tecnología también minimiza los disturbios de lectura/paso, mejorando la retención y la durabilidad.

En términos de espacio, los FeFETs pueden almacenar hasta 5 bits por celda con una estabilidad similar o mayor a la NAND. Los investigadores señalan que el consumo energético se mantiene al mínimo incluso en estructuras apiladas o con longitud de canal corta.

Es probable que estas memorias se implementen en la próxima generación de dispositivos móviles. Actualmente, Samsung enfrenta una escasez de memoria por la fiebre de la inteligencia artificial, lo que provocará un incremento de precio durante 2026 y 2027.

Por el momento no existen detalles sobre el desarrollo de las nuevas memorias basadas en FeFETs. Antes de pensar en una producción masiva, este adelanto tendrá que ponerse a prueba para garantizar que ofrece la estabilidad y rendimiento que encontramos en las memorias NAND.

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